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      漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      250

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      280

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      15

      驱动电（diàn）压(V)：

      10

      通道（dào）极（jí）性：

      N沟（gōu）道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-220-3L/-55~125

      描述：

      650V,280mΩ,15A,N沟道基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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